Cronologia das Pesquisas na Área de Semicondutores

1874 Braun descobre que a resistência dos contatos entre metais e sulfetos de metais depende da amplitude e da polaridade da tensão aplicada à junção.

1907 Round observa a geração de luz amarelada por um cristal de carburo de silício quando 10V foram aplicados entre dois pontos do material.

1947 Bardeen e Brattain inventaram o transistor de ponto de contato.

1949 Shockley publica um artigo sobre a junção p-n e o transistor bipolar.

1954 Chapin et al. desenvolvem a célular solar usando uma junção p-n de silício.

1957 Kroemer propõe o transistor bipolar de heterojunção.

1958 Esaki observa características de resistência negativa em uma junção p-n altamente dopada, levando à descoberta do diodo túnel.

1960 Kahng e Atalla relatam o MOSFET. A escolha do silício e do dióxido de silício depositado termicamente continua sendo a combinação de materiais mais importante da área de semicondutores.

1962 Hall et al. emitem laser de um semicondutor.

1963 Alferov e Kazarinov propõem o laser heteroestrutural. No mesmo ano, Gunn inventa o diodo Gunn (transferred-electron diode).

1965 Johnston et al. observam a primeira operação de diodos IMPATT.

1966 Mead inventa o MESFET.

1967 Kahng e Sze inventam a memória semicondutora não-volátil, cujo esquema é mostrado a seguir.

memoria_semicondutora_nao-volatil.gif

1970 – Boyle e Smith inventam o dispositivo de carga acoplada.

1974 Cheng et al. são os primeiros a estudarem o diodo de tunelamento ressonante.

1980 Minura et al. desenvolvem o MODFET (transistor de efeito de campo de dopagem modulada).

Referência

SZE, S. M. Semiconductor Devices: Physics and Technology. 2ª Edição. Nova Jersey: John Wiley & Sons, Inc., 2002. 564 p.

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