Apêndice A (parte 6)

A.2.4 Resistores

Resistores integrados não são muito precisos, resultando em valores de tolerância de 20 a 50%, porém dois resistores feitos usando uma mesma região de difusão possuem boa correspondência (valores diferindo até 5%).

Apesar de se autoisolarem uns dos outros, costumam ser afetados por altas capacitâncias parasitas, variação da tensão da fonte de alimentação e pela variação da temperatura.

Melhores resistores podem ser obtidos na camada de polissilício, com menores capacitâncias parasitas e mais independência da tensão de alimentação.

A.2.5 Capacitores

Podem ser do tipo MOS ou interpoli. O primeiro é formado pela própria capacitância entre o gate e a fonte de um transistor MOS, que pode ser menos afetado pela tensão de alimentação se um implante de mesmo tipo do canal for feito abaixo de toda a área do gate. O segundo apresenta melhores características, entretanto requer uma camada extra de polissilício para ser construído.

Esses capacitores possuem precisão por volta de 1%, com valores de 0,5 pF a algumas dezenas de picofarads.

Um terceiro e mais raro tipo de capacitor pode ser formado pela polarização reversa de uma junção pn. Como a camada de depleção da junção pode ter seu tamanho alterado pela tensão aplicada, é possível criar capacitores variáveis.

A.2.6 Diodos de Junção pn

Quaisquer regiões n e p vizinhas formam um diodo, que pode ser usado como circuito de proteção contra descargas eletroestáticas ou sensores de temperatura.

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