Apêndice A (parte 3)

A.1.6 Implantação de Íons

Através da aceleração de íons dopantes por um campo elétrico, as impurezas podem ser implantadas numa estrutura cristalina. Esse método é capaz de gerar perfis de impurezas bem mais precisos que pela difusão, além de poder ser realizado à temperatura ambiente.

A.1.7 Deposição de Vapor Químico

Nesse processo, é possível depositar uma camada sólida sobre um substrato pela reação de gases sobre a superfície. É mais indicado para a criação de camadas isolantes e possui a vantagem de ser mais rápido e poder ser realizado em temperaturas menores que a difusão.

Também é possível depositar uma camada de silício sobre o wafer. Em temperaturas mais altas (acima de 1000°C), a camada formada é epitaxial, ou seja, a orientação dos cristais do silício original e da nova camada serão a mesma. A temperaturas mais baixas, os átomos não ficarão alinhados, formando o polissilício, que, geralmente, é altamente dopado para servir como condutor.

A.1.8 Metalização

Através do bombardeio de íons sobre um disco de metal, de onde os átomos são arrancados, é possível depositar uma camada de metal sobre o wafer. Então, pelos processos de fotolitografia e etching, é possível criar interconexões de metal para ligar os componentes criados no wafer.

A.1.9 Encapsulamento

Um wafer de silício que tenha passado pelos processos anteriores pode conter mais que 10^{8} transistores. Os circuitos formados por eles são testados, separados pelo corte do wafer e encapsulados em um circuito integrado, cujos pinos são, geralmente, conectados ao die (parte cortada do wafer) por fios de ouro.

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