Apêndice A (parte 2)

A.1.3 Fotolitografia

O preço do processo de fabricação de circuitos integrados é altamente reduzido graças à reproducibilidade do processo de fotolitografia.

Esse processo se inicia com a cobertura do wafer com uma camada fotosensível, chamada photoresist. Então, através do padrão desenhado na placa fotográfica, a luz ultravioleta aplicada chegará ao photoresist nas áreas que deverão ser removidas, deixando-o mais fraco nesses locais. Por fim, a camada exposta é removida por um revelador químico, deixando, na camada abaixo do photoresist, o mesmo padrão do desenho da placa fotográfica.

As camadas que podem ser cobertas pelo photoresist podem ser de dióxido de silício, nitrato de silício, polissilício ou metal, e são removidas pelo processo de etching apenas onde o photoresist foi enfraquecido pela luz ultravioleta.

A.1.4 Etching

O processo de etching consiste em corroer o material abaixo das áreas expostas pelo photoresist. Pode ser do tipo químico, que pode causar corrosão de uma área levemente maior que a exposta, ou através de bombardeamento de íons ou gás, que são mais precisos.

A.1.5 Difusão

É o processo que faz com que os átomos se movam de uma área de alta concentração para as de menor concentração, e é utilizado para a implantação de impurezas no silício para alterar sua resistividade.

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